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EN8F630_v1.3

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发表于 2014-10-29 17:44:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
EN8F630_v1.3
英锐恩科技专业承接各类智能电子产品开发与设计,进行软硬件开发;我们为智能电子产品“芯”方案解决商,单片机集成方案全方位解决服务商!

高性能RISCCPU:
• 采用RISC架构,仅有37条单指令
(除程序跳转指令外的所有其他指令都是单周期指令,程序跳转指令是双周期指令)
• 8级深的硬件堆栈
• 14位宽指令集,8位宽的数据路径
• 可擦写flash芯片,片内闪存(ROM)为1K字,数据存储容量(RAM)为64字节
• EEPROM大小为128字节
• 数据和指令的直接、间接和相对寻址模式
• PA0~5可睡眠唤醒,且可通过软件独立设置内部上拉
• 工作电压2.0V~5.5V
• 有可选电源低压检测,欠压复位功能(PED),三级欠压复位
• 有中断功能
• 定时器0:带3位预分频器8Bit定时器
• 定时器1:带2位预分频器16Bit定时器
• 1个模拟比较器模块
• 自振式看门狗定时器
• 12个可独立直接控制I/O口
• 工作速度:内部4M/8M振荡器
单片机的特性:
• 上电复位(Power-onReset,POR)
• 低电压检测 (LVD)和欠压复位 (BOR)
• 上电复位(Power-onReset,POR)
• 具有专用片内RC振荡器的看门狗定时器(WDT),能够可靠地工作
• 代码保护功能
• 独立的可编程弱上拉功能
• 节省功耗的休眠模式
• 可选的振荡器选项:
- IRC:4M/8MHz内部振荡器
- RC:廉价RC震荡器
- LFXT:低频晶体振荡器
- XTAL:标准晶体振荡器
• 高耐久性的闪存/EEPROM存储单元
-闪存耐写次数达到100,000次
-EEPROM耐写次数达到1,000,000次
-闪存/数据EEPROM的数据保存期>40年


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请看x.co/eaa(网址) 肺炎疫情真相超乎想像 ,看海外最真实的报告...... git.io/g8888 (网址)  发表于 2020-6-6 05:36
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