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IR最新200V DirectFET MOSFET效率高达95%并大幅节省占位空间

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发表于 2008-8-20 16:18:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET,采用IR标准的DirectFET 封装技术结合IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技术,可实现95% 的效率。
IR 新推出的200V DirectFET 器件是应用于专为36V 至75V 通用输入范围内操作的隔离式设计DC-DC转换器。其超低的51 mΩ典型10V 导通电阻RDS(on) 及减低了的栅极电荷,使IRF6641TRPbF特别适合应用于高效同步整流MOSFET、推动大电流负载的高频及高效的DC-DC 转换器、新一代中间总线转换器、DC 马达驱动器,以及为风力涡轮转换功率的48V 变频器的同步整流。在48V 通用输入电压范围内操作的计算机及电信服务器的大电流AC-DC 转换器也可以采用新器件进行同步整流。
IR亚太区高级销售总监曾海邦表示:“我们最新的200V DirectFET MOSFET 的电流额定值达到25 安培,但面积仅与0.7 毫米高度的SO-8 封装产品相同,同时也能把栅极电荷和封装电感降至最低,从而减少导通和开关损耗。一颗DirectFET MOSET就能比较两颗或三颗SO-8 器件节省超过50% 的空间。”
IR 的新器件在诸多应用上都能提供卓越的表现。IRF6641TRPbF 与其他采用次级同步整流插座的增强SO-8 器件相比,当每个插座所使用的增强SO-8 器件的数目相同时,新的DirectFET 器件的效率可提高0.4% 。此外,当每个插座使用两个增强SO-8 器件时,IR 的新器件也能提供同样7 安培的电流和满载效率。在同一项分析中,每个插座如果采用两颗IRF6641TRPbF 器件的电路,MOSFET 温度是最低的。
新器件有一个共用MZ 占位面积,可以方便地将应用转换至其他中电压DirectFET MOSFET,例如具有可接受的增加电流电平和更低电压的100V IRF6662器件。
新的IRF6641TRPbF DirectFET MOSET现已供货,其基本规格如下:
产品编号
封装
BVDSS(V)
最大
RDS(on)
10V以下
(mΩ)
典型
RDS(on)
10V以下
(
mΩ)
VGS (V)
在摄氏
25度下的ID(A)
典型QG (nC)
典型QGD(nC)
DirectFET
200
59.9
51
20
26
34
9.5
IR已获专利的DirectFET MOSFET封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优点。其金属罐结构可提供双面冷却功能,使应用于驱动先进微型处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力增加了一倍。此外,DirectFET封装内的器件均符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。
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