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标题: 什么是SPM：Smart Power Modular? [打印本页]

作者: winnie 时间: 2009-3-12 16:09
标题: 什么是SPM：Smart Power Modular?
每个Motion-SPM在高热效封装中集成了六个快速恢复MOSFET (FRFET) 和三个半桥高压IC (HVIC)。这些集成元件采用飞兆半导体的创新技术，实现了低损耗和低EMI特性，有助于提升应用的效率和可靠性。Motion-SPM将MOSFET作为器件的功率开关，提供了较IGBT功率模块或单芯片方案更好的系统耐用性和更大的安全工作区 (SOA)。与分立元件方案相比，这些高度集成的模块不仅能有效地节省空间，而且还省去了对多个分立元件进行测试和认可的耗时工序。

SPM= 功率器件 + 驱动器件 + 驱动IC + 封装
功率器件= IGBT 或 MOSFET + FRD
驱动IC=
HVIC 和LVIC
封装=陶瓷基底或
铜直接键合(DBC)基底的转模封装

系列	额定功率及额定电压等级	特点
SPIM (CI)	< 10kW ( 600V 75A 1200V 40A )	六个IGBT和六个快速恢复二极管 (FRD)及门极驱动集成了欠压锁定（UV）和短路（SC）保护功能, 温度传感器三相整流桥
SPIM (Inv)	< 10kW ( 600V 100A 1200V 50A )	六个IGBT和六个快速恢复二极管 (FRD)及门极驱动并集成了欠压锁定（UV）和短路（SC）保护功能, 温度传感器
SPM2	< 5kW (600V 75A)	六个IGBT和六个快速恢复二极管 (FRD)及门极驱动并集成了欠压锁定（UV）和短路（SC）保护功能，软关断功能温度传感器
SPM3	< 2.2kW (600V 30A)	六个IGBT和六个快速恢复二极管 (FRD)及门极驱动, 集成了欠压锁定（UV）和短路（SC）保护功能软关断功能。
SPM4	< 1kW (600V 15A)	六个IGBT和六个快速恢复二极管 (FRD) 及门极驱动集成了欠压锁定（UV）和短路（SC）保护功能, 软关断功能温度传感器
SPM5	< 0.1kW (500V 3A)-MOSFET	六个MOSFET +门极驱动电路集成欠压锁定电路( UV)

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