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全球功率半导体和管理方案领导厂商- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出一系列新型 25V及30V N通道沟道 HEXFET功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。
新 MOSFET 系列采用了 IR 经过验证的硅技术，可提供基准通态电阻 (RDS(on)) ，并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能，即使在轻负载条件下，低转换损耗也有助于实现高效率。
IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示："这些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封装，可比SO-8封装提供更高的功率密度，同时保持相同的引脚排列配置。新型双 SO-8 MOSFET 还可通过 ’二合一’ 交换来减少元件数目，满足不同应用的要求。"
单双 N 通道 MOSFET 现已开始供应。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封装之外，单个 N通道器件也可在高量产时实现优化，采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封装，而双 N通道器件则采用 SO-8 封装。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) ，可以不含卤素。
产品的基本规格如下： 单个 N 通道
| 器件编号
| Bvdss
(V)
| 封装
| 在10Vgs下的
最大RDS(on)(mΩ)
| 在4.5Vgs下的
最大RDS(on)
(mΩ)
| 在TC=25°C下的Id(A)
| 在TA=25°C下的Id(A)
| 典型 Qg (nC)
|
| 25
| D-Pak/I-PAK
| 5.7
| 8.5
| 81
| N/A
| 10
|
| 25
| D-Pak/I-PAK
| 8.7
| 12.9
| 57
| N/A
| 6.8
|
| 25
| SO-8
| 2.7
| 3.7
| N/A
| 25
| 35
|
| 30
| D-Pak/I-PAK
| 3.1
| 3.9
| 160
| N/A
| 39
|
| 30
| D-Pak/I-PAK
| 5.8
| 8.0
| 86
| N/A
| 15
|
| 30
| D-Pak/I-PAK
| 8.4
| 11.8
| 65
| N/A
| 8.5
|
| 30
| D-Pak/I-PAK
| 8.9
| 11.9
| 58
| N/A
| 10
|
| 30
| PQFN 3 x 3
| 7.1
| 11.8
| N/A
| 16
| 9.6
|
| 30
| PQFN 3 x 3
| 12.4
| 17.9
| N/A
| 12
| 5.4
|
| 30
| PQFN 5 x 6
| 3.3
| 3.9
| N/A
| 24
| 34
|
| 30
| PQFN 5 x 6
| 3.5
| 5.1
| N/A
| 24
| 20
|
| 30
| PQFN 5 x 6
| 4.8
| 6.8
| N/A
| 20
| 17
|
| 30
| PQFN 5 x 6
| 8.5
| 12.5
| N/A
| 15
| 9.3
|
| 30
| PQFN 5 x 6
| 8.7
| 13
| N/A
| 15
| 8.3
|
| 30
| SO-8
| 2.8
| 3.8
| N/A
| 24
| 44
|
| 30
| SO-8
| 3.7
| 4.5
| N/A
| 21
| 30
|
| 30
| SO-8
| 3.5
| 5.1
| N/A
| 21
| 20
|
| 30
| SO-8
| 4.8
| 6.8
| N/A
| 18
| 17
|
| 30
| SO-8
| 8.5
| 12.5
| N/A | 14
| 8.3
|
| 30
| SO-8
| 8.7
| 13
| N/A
| 14
| 8.1
|
| 30
| SO-8
| 11.9
| 17.5
| N/A
| 11
| 6.2
| N/A = 不适用
|
双 N 通道
| 器件编号
| 封装
| 配置
| Bvdss
(V)
| 在10Vgs下
的
最大RDS(on) (mΩ)
| 最大Vgs (V)
| 典型Qg
(nC)
|
| SO-8
| 独立对称
| 30
| 15.5
| ± 20
| 6.0
|
| SO-8
| 半桥非对称
| 30
| 12.7
| ± 20
| 7.6
| 15.5
| 5.7
|
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发表于 2009-7-14 19:10:39
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