IR推出增强型25V及30V MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出一系列新型 25V及30V N通道沟道 HEXFET功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。新 MOSFET 系列采用了 IR 经过验证的硅技术，可提供基准通态电阻 (RDS(on)) ，并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能，即使在轻负载条件下，低转换损耗也有助于实现高效率。
IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示："这些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封装，可比SO-8封装提供更高的功率密度，同时保持相同的引脚排列配置。新型双 SO-8 MOSFET 还可通过 ’二合一’ 交换来减少元件数目，满足不同应用的要求。"
单双 N 通道 MOSFET 现已开始供应。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封装之外，单个 N通道器件也可在高量产时实现优化，采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封装，而双 N通道器件则采用 SO-8 封装。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) ，可以不含卤素。
产品的基本规格如下： 单个 N 通道
器件编号
Bvdss
(V)
封装
在10Vgs下的
最大RDS(on)(mΩ)
在4.5Vgs下的
最大RDS(on)
(mΩ)
在TC=25°C下的Id(A)
在TA=25°C下的Id(A)
典型 Qg (nC)
IRL(R,U)8256(TR)PBF
25
D-Pak/I-PAK
5.7
8.5
81
N/A
10
IRL(R,U)8259(TR)PBF
25
D-Pak/I-PAK
8.7
12.9
57
N/A
6.8
IRF8252(TR)PBF
25
SO-8
2.7
3.7
N/A
25
35
IRL(R,U)8743(TR)PBF
30
D-Pak/I-PAK
3.1
3.9
160
N/A
39
IRL(R,U)8726(TR)PBF
30
D-Pak/I-PAK
5.8
8.0
86
N/A
15
IRL(R,U)8721(TR)PBF
30
D-Pak/I-PAK
8.4
11.8
65
N/A
8.5
IRL(R,U)8729(TR)PBF
30
D-Pak/I-PAK
8.9
11.9
58
N/A
10
IRFH3702(TR,TR2)PBF
30
PQFN 3 x 3
7.1
11.8
N/A
16
9.6
IRFH3707(TR,TR2)PBF
30
PQFN 3 x 3
12.4
17.9
N/A
12
5.4
IRFH7932(TR,TR2)PBF
30
PQFN 5 x 6
3.3
3.9
N/A
24
34
IRFH7934(TR,TR2)PBF
30
PQFN 5 x 6
3.5
5.1
N/A
24
20
IRFH7936(TR,TR2)PBF
30
PQFN 5 x 6
4.8
6.8
N/A
20
17
IRFH7921(TR,TR2)PBF
30
PQFN 5 x 6
8.5
12.5
N/A
15
9.3
IRFH7914(TR,TR2)PBF
30
PQFN 5 x 6
8.7
13
N/A
15
8.3
IRF8788(TR)PBF
30
SO-8
2.8
3.8
N/A
24
44
IRF7862(TR)PBF
30
SO-8
3.7
4.5
N/A
21
30
IRF8734(TR)PBF
30
SO-8
3.5
5.1
N/A
21
20
IRF8736(TR)PBF
30
SO-8
4.8
6.8
N/A
18
17
IRF8721(TR)PBF
30
SO-8
8.5
12.5
N/A14
8.3
IRF8714(TR)PBF
30
SO-8
8.7
13
N/A
14
8.1
IRF8707(TR)PBF
30
SO-8
11.9
17.5
N/A
11
6.2
N/A = 不适用
双 N 通道
器件编号
封装
配置
Bvdss
(V)
在10Vgs下
的
最大RDS(on) (mΩ)
最大Vgs (V)
典型Qg
(nC)
IRF8313PBF
SO-8
独立对称
30
15.5
± 20
6.0
IRF8513PBF
SO-8
半桥非对称
30
12.7
± 20
7.6
15.5
5.7
页:
[1]